1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -3,2А; Idm: -12А; ESD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -3,2А; Idm: -12А; ESD
Немає в наявності
Код товару: PMPB29XPEAX
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMPB29XPEAX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 46мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -3,2А
Струм стоку в імпульсі: -12А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 16кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 16кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 470мкГн; 60мА; R: 24,7Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 470мкГн; 60мА; R: 24,7Ом; ±10%; LQH

4,88 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,47мГн
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; 8м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; 8м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR

2328,94 грн

Довжина кабелю:
8м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
PIN: 5; чорний; луджений; 2,54мм; 22AWG
PIN: 5; чорний; луджений; 2,54мм; 22AWG

300,30 грн

Діаметр жили:
22AWG
Кількість пін:
5
Колір ізоляції:
чорний
Покриття контакту:
луджений
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 16,7÷18,5В; 16,4А; односпрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 400Вт; 16,7÷18,5В; 16,4А; односпрямована; DO214AC,SMA

4,82 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
15В
Генератор; 50МГц; SMD; 7x5x1,3мм; 12пФ; ±50ppm; 1,8ВDC; -40÷85°C
Генератор; 50МГц; SMD; 7x5x1,3мм; 12пФ; ±50ppm; 1,8ВDC; -40÷85°C

91,23 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
1,8В DC
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD