Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -300мА; Idm: -2А; ESD

Name: Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -300мА; Idm: -2А; ESD
Brand: NEXPERIA
SKU: PMZ950UPEYL
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: PMZ950UPEYL

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 10000

Крок додавання: 10000

Код товару:

PMZ950UPEYL

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

2,1нКл

Корпус:

DFN1006-3; SOT883

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

2,1Ом

Поляризація:

польовий

Струм стока:

-300мА

Струм стоку в імпульсі:

-2А

Технологія:

Trench

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-40В

Опір в стані провідності:
4,7мОм

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TUMT6

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD