Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -4,5А; 1,4Вт; SOT23-6

Немає в наявності
Код товару: G350P02LLE
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G350P02LLE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 17,2нКл
Корпус: SOT23-6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: -4,5А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; промисловість; 240Вт; 24ВDC; 10А; IP20
Блок живлення: імпульсний; промисловість; 240Вт; 24ВDC; 10А; IP20

8817,17 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
10А
Відповідність стандарту:
cULus
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CQ; 150В

1,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 150мА
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 150мА

75,39 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,15А
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

3,80 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; RK73B; 200В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; RK73B; 200В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 50В; Z5U; ±20%; THT; 5,08мм
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 50В; Z5U; ±20%; THT; 5,08мм

8,30 грн

Виводи:
радіальні
Діелектрик:
Z5U
Допуск:
±20%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 768кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 768кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOP8