1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -9А; 2,5Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -9А; 2,5Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G09P02L
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G09P02L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 72нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -9А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 40А; CB; 1,6Вт
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 40А; CB; 1,6Вт

269,89 грн

Виводи:
конектори
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
26x22x25мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

857,20 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
33мА
Вхідна напруга:
36...75В DC
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 20ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 20ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; -55÷125°C

18,31 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Корпус:
B
Недоступний
Резистор: thin film; 620Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 620Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

2,85 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)

141,28 грн

Виводи:
до лютування
Властивості перемикачів:
без важеля
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт

13,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8

48,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3

2,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN1006-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±10В
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-100В