Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -11А; 2,5Вт; SOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 4435
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 4435
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -11А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

241,38 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
14,25мм
Довжина:
15,21мм
Електричний монтаж:
push-in
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

0,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
EMobility: з'єднувач; однофазний; Тип 2 "мама"; 32А; синій; вилка
EMobility: з'єднувач; однофазний; Тип 2 "мама"; 32А; синій; вилка

2622,28 грн

Використання:
зарядка електромобілів
Відповідність стандарту:
IEC 62196-2
Колір:
синій
Конструкція кабелю/переходу:
Тип 2 "мама"
Недоступний
Модуль автоматики: пресостат; тиск; OUT 1: CO; клас гермет: IP66
Модуль автоматики: пресостат; тиск; OUT 1: CO; клас гермет: IP66

14117,48 грн

Вид виходу 1:
CO
Діапазон налаштування тиску:
30...500бар; 435...7250psi
Електричне під'єднування:
PG13,5
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Резистор: thick film; 909кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 909кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85x0,45мм
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -6,5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -6,5А; 1,25Вт; TSMT6

14,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -2А
Транзистор: P-MOSFET; -2А

7,35 грн

Монтаж:
SMD
Струм стока:
-2А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -27А; 69Вт; HSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -27А; 69Вт; HSMT8

43,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -36А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -36А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2А; 1,25Вт; TSMT6

10,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -67А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -67А; 75Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -4,5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -4,5А; 1,25Вт; TSMT6

23,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В