Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -15А; 3,1Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G18P03S
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G18P03S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: -15А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 422кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 422кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Connector: RJ45; data transfer; PIN: 4; Cat 5e; shielded; UL94V-0
Connector: RJ45; data transfer; PIN: 4; Cat 5e; shielded; UL94V-0

4472,26 грн

Connector family:
data transfer
Висота:
28,9мм
Категорія Ethernet:
Cat 5e
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,4пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,4пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,4пФ
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В

67,16 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,8В
Вихідний струм:
0,7А
Недоступний
Провід; BiT 500 (ST) CH B2ca; 7G1,5мм2; LSZH; сірий; 300В,500В
Провід; BiT 500 (ST) CH B2ca; 7G1,5мм2; LSZH; сірий; 300В,500В

334,52 грн

Bластивості проводів:
еластичний; низьке виділення диму
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,5пФ
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт

13,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8

48,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3

2,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN1006-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±10В
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-100В