1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -260мА; Idm: -1,7А

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -260мА; Idm: -1,7А
Немає в наявності
Код товару: PMZ1200UPEYL
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: PMZ1200UPEYL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,2нКл
Корпус: DFN1006-3; SOT883
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 2,4Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: -260мА
Струм стоку в імпульсі: -1,7А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; MELF; 0207; 400мВт; ±1%; 300В
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; MELF; 0207; 400мВт; ±1%; 300В

6,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Довжина:
5,8мм
Допуск:
±1%
Резистор: thin film; 180Ом; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 180Ом; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C

36,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Опір:
180Ом
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V

83,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,1В

672,83 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3,3В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Симістор; 800В; 8А; Igt: 25мА; TO220F; туба; Ifsm: 80А
Симістор; 800В; 8А; Igt: 25мА; TO220F; туба; Ifsm: 80А

18,88 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220F
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD