1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -3,9А; Idm: -25А; ESD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -3,9А; Idm: -25А; ESD
Немає в наявності
Код товару: PMPB27EPAX
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMPB27EPAX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Струм стока: -3,9А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 73,2кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 73,2кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V

284,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
7/8”; PIN: 4; прямий,гніздовий; неекранований,прямий; Iном: 9А
7/8”; PIN: 4; прямий,гніздовий; неекранований,прямий; Iном: 9А

2330,84 грн

M16; 1,5; IP68; нержавіюча сталь; HSK-INOX-PVDF
M16; 1,5; IP68; нержавіюча сталь; HSK-INOX-PVDF

1329,20 грн

Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
6мм
Зовнішній діаметр проводу:
5...10мм
Клас герметичності:
IP68
Діод: TVS; 1,5кВт; 36,7÷40,6В; 28,1А; односпрямована; ±5%; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 36,7÷40,6В; 28,1А; односпрямована; ±5%; SMCJ

34,85 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
33В
Кристал; 26МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 9пФ; Стаб.част: ±10ppm
Кристал; 26МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 9пФ; Стаб.част: ±10ppm

22,17 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
9пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD