Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -30А; 35Вт; DFN3x3-8

Немає в наявності
Код товару: G170P03D3
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G170P03D3
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 35нКл
Корпус: DFN3x3-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: -30А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 845кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 845кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 102; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 102; THT; straight

165,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
26,7мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,5%; ARG; 75В
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,5%; ARG; 75В

1,13 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Threading die: metric; M18; 2.5; Thk: 18mm; high speed steel; 6e
Threading die: metric; M18; 2.5; Thk: 18mm; high speed steel; 6e

2323,88 грн

Type of threading die:
метрична
Відповідність стандарту:
DIN EN 22568
Діаметр зовнішній:
45мм
Допуск:
6e
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; SMT; 3A; 250V

664,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Кабель; XLR "папа" 3pin,XLR "мама" 3pin; 9м; помаранчевий
Кабель; XLR "папа" 3pin,XLR "мама" 3pin; 9м; помаранчевий

1336,80 грн

Довжина кабелю:
9м
Колір ізоляції:
помаранчевий
Конструкція кабелю/переходу:
XLR "мама" 3pin; XLR "папа" 3pin
Переріз жили:
0,25мм2
Резистор: thin film; 16кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; 75В
Резистор: thin film; 16кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; 75В

1,49 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD