Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -4,6А; 1,4Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: G500P03IE
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G500P03IE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: -4,6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Маркер: кабельний; Маркування: U; 1,3÷3мм; ПВХ; жовтий; на корпус
Маркер: кабельний; Маркування: U; 1,3÷3мм; ПВХ; жовтий; на корпус

2,28 грн

Висота:
3,6мм
Довжина:
3мм
Зовнішній діаметр проводу:
1,3...3мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: metal oxide; 3,2кОм; THT; 3Вт; ±2%; 350В; Ш0,8x28мм
Резистор: metal oxide; 3,2кОм; THT; 3Вт; ±2%; 350В; Ш0,8x28мм

0,00 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
стійкість до дії довкілля
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16мм
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,2пФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 3,9мкФ; 400ВDC; 33x12,7x20,8мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 3,9мкФ; 400ВDC; 33x12,7x20,8мм

57,02 грн

Діаметр виводів:
0,8мм
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3,9мкФ
Connector: DIN 41612; socket; male; data; PIN: 3; angled 90°; 15A
Connector: DIN 41612; socket; male; data; PIN: 3; angled 90°; 15A

303,47 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
DIN-Power H3003FS-3,0C1-1
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
134нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -55А; Idm: -220А; 65,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -55А; Idm: -220А; 65,7Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -25А; Idm: -100А; 30Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -25А; Idm: -100А; 30Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 3,1Вт; SOP8

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,6А; Idm: -14,4А; 3,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,6А; Idm: -14,4А; 3,5Вт

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; -250В; -265мА; 2Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; -250В; -265мА; 2Вт; SOT223

19,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±40В