1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -4,7А; Idm: -30А; ESD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -4,7А; Idm: -30А; ESD
Немає в наявності
Код товару: PMPB16EPX
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMPB16EPX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 34мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -4,7А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: дротяний; 100кОм; THT; 14Вт; ±5%; Ø8,5x53,3мм; -55÷200°C
Резистор: дротяний; 100кОм; THT; 14Вт; ±5%; Ø8,5x53,3мм; -55÷200°C

368,09 грн

Виводи:
осьові
Висота:
53,3мм
Діаметр:
8,5мм
Довжина:
53,3мм
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц

8,87 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
UNI/O
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F

3,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD