Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -600мА; Idm: -4А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMZ320UPEYL
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: PMZ320UPEYL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,4нКл
Корпус: DFN1006-3; SOT883
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 810мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -600мА
Струм стоку в імпульсі: -4А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD

3,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 30В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323
Транзистор: PNP; біполярний; 30В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323

6,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
30В
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 550МГц; TFBGA129; 1,62÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 550МГц; TFBGA129; 1,62÷3,6ВDC

465,03 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN FD; Ethernet; GPIO; HDMI CEC; I2C; I2S; LPUART; MDIO; PDM; SAI; SDMMC; SPDIF; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
74
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 16А; 73Вт; PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 16А; 73Вт; PQFN8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
PQFN8
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 45мкГн; 2А; R: 70мОм; -25÷105°C
Реактор: дротяний; THT; 45мкГн; 2А; R: 70мОм; -25÷105°C

103,27 грн

Індуктивність:
45мкГн
Монтаж:
THT
Опір:
70мОм
Робоча температура:
-25...105°C
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
151нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerDI®3333-8