Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -12А; 50Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: G12P04K
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G12P04K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -12А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Сигналізатор: світловий; безперервне світло; синій; 12÷230ВDC
Сигналізатор: світловий; безперервне світло; синій; 12÷230ВDC

2517,11 грн

Зовнішні розміри:
Ø75x97мм
Клас герметичності:
IP65
Колір:
синій
Напруга живлення:
12...230В AC; 12...230В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; SMT; 3A; 250V

292,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
4мм
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 25x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 25x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

137232,81 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Недоступний
Модуль: лазерний; 5мВт; синій; пункт; 405нм; 10÷30ВDC; 50÷250мА
Модуль: лазерний; 5мВт; синій; пункт; 405нм; 10÷30ВDC; 50÷250мА

11437,55 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Використання:
бар'єри; візуальні ефекти; показники; системи сигналізації
Властивості оптоелектронних модулів:
можливість колімації пучка
Довжина відводів:
2м
Недоступний
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±20ppm
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±20ppm

17,99 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; 11А; порошкове залізо; H: 3мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; 11А; порошкове залізо; H: 3мм

53,85 грн

Висота:
3мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В

1,93 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD