1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -20А; 5,7Вт; SOP8

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -20А; 5,7Вт; SOP8
Немає в наявності
Код товару: G75P04S
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G75P04S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,7Вт
Струм стока: -20А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 60А; Iвих: 1А; 1@max1,5ВА,3@max2ВА
Трансформатор: струмовий; Iвх: 60А; Iвих: 1А; 1@max1,5ВА,3@max2ВА

1855,05 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
60А
Діаметр внутрішній:
30,5мм
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 750мА; Iмакс: 40А; 1210
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 750мА; Iмакс: 40А; 1210

4,37 грн

Зовнішні розміри:
3,43x2,8x0,85мм
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Максимальна напруга:
6В
Недоступний
Резистор: thin film; 32,4кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 32,4кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,92 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Діод: TVS; 7кВт; 26,7В; 180А; двоспрямована; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 7кВт; 26,7В; 180А; двоспрямована; DO214AB,SMC

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
24В
Корпус:
DO214AB; SMC
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 250ВDC; 15мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 250ВDC; 15мм; ±10%; THT

57,65 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; пригвинчуваний; 100Вт; ±10%; RTS
Резистор: thick film; 680Ом; пригвинчуваний; 100Вт; ±10%; RTS

650,03 грн

Виводи:
до лютування
Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±10%
Кількість монтажних отворів:
2
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 5мм

28,51 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD