1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -7А; 2,5Вт; SOP8

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -7А; 2,5Вт; SOP8
Немає в наявності
Код товару: G07P04S
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G07P04S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 31нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -7А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 147Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 147Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI,DALI 2; 40Вт; 6÷54ВDC; IP20
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI,DALI 2; 40Вт; 6÷54ВDC; IP20

1326,03 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
6...54В DC
Вихідний струм:
150мА...1,05А
Корпус для з’єднувачів: M23; прямий; для проводу; 7÷12мм
Корпус для з’єднувачів: M23; прямий; для проводу; 7÷12мм

1791,06 грн

Застосування - серія/виробник:
M23 Signal
Зовнішній діаметр проводу:
7...12мм
Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
EMC; з кабельним введ.
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 63ВDC; Ø8x12мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 63ВDC; Ø8x12мм; ±20%

3,36 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD