Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; 1,5Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G02P06
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G02P06
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 11,3нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -1,6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: штировий; гніздо; гніздовий; PIN: 14; THT; Iном: 3А; 350В
Роз’єм: штировий; гніздо; гніздовий; PIN: 14; THT; Iном: 3А; 350В

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
8,5мм
Довжина:
17,8мм
Довжина відводів:
2,9мм
Кабель; USB 3.2 Gen 2x2; USB C вилка,з обох сторін; 1м; чорний
Кабель; USB 3.2 Gen 2x2; USB C вилка,з обох сторін; 1м; чорний

535,35 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
зі LED
Довжина кабелю:
1м
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
USB C вилка; з обох сторін
Недоступний
Резистор: thick film; 18,7Ом; SMD; 1206; 750мВт; ±1%; 200В; 5000шт.
Резистор: thick film; 18,7Ом; SMD; 1206; 750мВт; ±1%; 200В; 5000шт.

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6x0,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,21МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,21МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,22 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 100V

345,29 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Реле: електромагнітнe  потужності; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 6Вт
Реле: електромагнітнe потужності; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 6Вт

9112,40 грн

Виводи:
болтове; проводи x4
Допоміжні інтегровані контакти:
NO
Зовнішні розміри:
92,5x89x44мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0805; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0805; 330мм

2,47 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD