Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -120А; 277Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: G120P06T
58,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G120P06T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 230нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277Вт
Струм стока: -120А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 4
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 4

1403,96 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 6; прямий
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 6; прямий

94,40 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0202
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0202

40,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 7,5м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 5; 7004; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 7,5м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 5; 7004; PUR

5494,18 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 79Вт; TO220AB

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,23А; Idm: -3А; 0,7Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,23А; Idm: -3А; 0,7Вт; TO92

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -27А; 16Вт; TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -27А; 16Вт; TO220F

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,6А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,6А; 42Вт; IPAK,TO251

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс

513,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO3P
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO3P

384,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO3P