Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -20А; 40Вт; DFN3x3-8

Немає в наявності
Код товару: G08P06D3
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G08P06D3
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: DFN3x3-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: -20А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 47мкФ; 35ВDC; U; 2924
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 47мкФ; 35ВDC; U; 2924

0,00 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0402

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5

1175,88 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Захисні рукавички; Розмір: 10; сіро-чорний
Захисні рукавички; Розмір: 10; сіро-чорний

56,39 грн

Відповідність стандарту:
EN 388; EN 420
Колір:
сіро-чорний
Розмір:
10
Тип елементу ЗОО:
захисні рукавички
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 8÷36ВDC; Uвих: -15÷15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 8÷36ВDC; Uвих: -15÷15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

124,81 грн

Вихідна напруга:
-15...15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
-150...500мА
Вхідна напруга:
8...36В DC
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 275В; THT; ±10%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 275В; THT; ±10%; 15мм

3,02 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD