Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -3,2А; 1,6Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: G1K1P06LH
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G1K1P06LH
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 16нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: -3,2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

19,64 грн

Alias:
C1206X104K1RAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Резистор: thin film; 150кОм; 0603; 167мВт; ±0,05%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 150кОм; 0603; 167мВт; ±0,05%; ARM-A; 10ppm/°C

10,01 грн

Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
150кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 34Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 34Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 95,3кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 95,3кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Датчик: газу; 0÷100%RH; -40÷125°C; 1,62÷3,6ВDC; 13x10x2,4мм; SFA40
Датчик: газу; 0÷100%RH; -40÷125°C; 1,62÷3,6ВDC; 13x10x2,4мм; SFA40

887,61 грн

Діапазон вимірювання вологості:
0...100% RH
Діапазон вимірювання температури:
-40...125°C
Зовнішні розміри:
13x10x2,4мм
Інтерфейс:
I2C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603

1,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±1%
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; M20; IP65; 60x30x44мм; -25÷70°C
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; M20; IP65; 60x30x44мм; -25÷70°C

1652,31 грн

Вид головки:
регульований пластиковий стрижень довжиною 200мм
Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
4
Клас герметичності:
IP65
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOP8