Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -5,1А; Idm: -32А; 15Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BUK6D120-60PX
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK6D120-60PX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 256мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15Вт
Струм стока: -5,1А
Струм стоку в імпульсі: -32А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Перфоратор; Ø: 3мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 150мм
Перфоратор; Ø: 3мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 150мм

252,79 грн

Діаметр наконечника:
3мм
Довжина інструмента:
150мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Тип інструмента:
перфоратор
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 380ВAC,400ВAC,420ВAC; 24В; IP00
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 380ВAC,400ВAC,420ВAC; 24В; IP00

2707,81 грн

Виводи:
затискна планка
Вторинна напруга 1:
24В
Зовнішні розміри:
84x93x90мм
Клас герметичності:
IP00
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 4,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,67 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
LED; 5мм; зелений; 750÷1120мкд; 140°; Голівка: плоске; 2,8÷4ВDC
LED; 5мм; зелений; 750÷1120мкд; 140°; Голівка: плоске; 2,8÷4ВDC

31,68 грн

Голівка:
плоске
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
525нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; CuZn
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; CuZn

66,52 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
CuZn
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 4; 6кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 4; 6кА

3685,38 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
4
Недоступний
Резистор: thin film; 56,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 56,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт

13,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8

48,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3

2,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN1006-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±10В
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-100В