Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -2,17А; 12,5Вт

Немає в наявності
Код товару: SI7117DN-T1-GE3
29,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7117DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Опір в стані провідності: 1,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12,5Вт
Струм стока: -2,17А
Струм стоку в імпульсі: -2,2А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 99мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 99мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 8,87кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 8,87кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Ферит: кільцевий; Довж: 5,5мм; Øвнутр: 7мм; Øзовн: 13мм; K5B; 27Ом
Ферит: кільцевий; Довж: 5,5мм; Øвнутр: 7мм; Øзовн: 13мм; K5B; 27Ом

17,49 грн

Властивості феритів:
гладкі краї
Діаметр внутрішній:
7мм
Діаметр зовнішній:
13мм
Довжина:
5,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RK73B; 150В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RK73B; 150В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Викрутка: прецизійна; плоскa; SL 1,5; Довж.леза: 60мм; ESD
Викрутка: прецизійна; плоскa; SL 1,5; Довж.леза: 60мм; ESD

337,68 грн

Довжина леза:
60мм
Загальна довжина:
160мм
Матеріал стержня:
хром-молібден-ванадієва сталь
Модель:
ESD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 36; THT; straight
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 36; THT; straight

68,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина:
5,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Вентилятор: DC; 92x92x25мм; осьовий; 12ВDC; 76,5м3/г; 32дБА; 24AWG
Вентилятор: DC; 92x92x25мм; осьовий; 12ВDC; 76,5м3/г; 32дБА; 24AWG

662,70 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD