Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -2,3А; Idm: -15А
Brand: VISHAY
SKU: SI4455DY-T1-E3
Price: 43.08 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -2,3А; Idm: -15А

Немає в наявності

Код товару: SI4455DY-T1-E3

43,08 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

SI4455DY-T1-E3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

23,2нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-150В

Опір в стані провідності:

315мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3,8Вт

Струм стока:

-2,3А

Струм стоку в імпульсі:

-15А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 17; SMT; straight

60,82 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Довжина:
14,2мм

Електричний монтаж:
SMT

Бажані

PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷60ВDC; Uвих: 1,2÷57ВDC; 0,5А

398,51 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC

Вид упаковки:
туба

Вихідна напруга:
1,2...57В DC

Вихідний струм:
0,5А

Бажані

IC: цифровий; NOR; IN: 8; SMD; TSSOP14; -40÷125°C; 3,6нс; VHC

15,08 грн

Вид затвору:
NOR

Корпус:
TSSOP14

Монтаж:
SMD

Робоча температура:
-40...125°C

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RBD

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±0,5%

Корпус - дюйм:
0603

Корпус - мм:
1608

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
17нКл

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
4,6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7,4нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD