Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -2,3А; Idm: -15А

Немає в наявності
Код товару: SI4455DY-T1-GE3
120,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4455DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23,2нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Опір в стані провідності: 315мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,8Вт
Струм стока: -2,3А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 49,9Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 49,9Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

1098,58 грн

Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 0.8mm; T-112; CuBe; 5N; screw-in
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 0.8mm; T-112; CuBe; 5N; screw-in

509,38 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
0,8мм
Матеріал контакту:
cube
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2200мкФ; 16ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2200мкФ; 16ВDC; ±20%

83,63 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD

2,41 грн

Alias:
KGM21ECG2D271GU
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт

13,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8

48,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3

2,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN1006-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±10В
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-100В