Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -200В; -1,2А; Idm: -5А

Немає в наявності
Код товару: SI7119DN-T1-E3
22,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7119DN-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -200В
Опір в стані провідності: 1,05Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: -1,2А
Струм стоку в імпульсі: -5А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; THT; straight

60,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 100V

95,03 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 4А

1053,60 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,21Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,50 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

1625,70 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,14А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 732Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 732Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3

18,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В