1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -200В; -1,2А; Idm: -5А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -200В; -1,2А; Idm: -5А
Немає в наявності
Код товару: SI7119DN-T1-GE3
71,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI7119DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -200В
Опір в стані провідності: 1,05Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: -1,2А
Струм стоку в імпульсі: -5А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 10A; 300V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 10A; 300V

12,86 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина контакту:
12,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.7mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.7mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,7мм
Недоступний
Діод: випрямний; 1,6кВ; 400А; катод на болті; DO205AB,DO9; 1,62В
Діод: випрямний; 1,6кВ; 400А; катод на болті; DO205AB,DO9; 1,62В

4681,33 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
DO9; DO205AB
Монтаж:
гвинтовий
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 16мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 16мм; 1/2"

347,19 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
38мм
Розмір гнізда:
HEX 16мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A; 60V

48,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба

98,20 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD