1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -200В; -9,4А; Idm: -60А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -200В; -9,4А; Idm: -60А
Немає в наявності
Код товару: SQJ431AEP-T1_BE3
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ431AEP-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 85нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -200В
Опір в стані провідності: 763мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: -9,4А
Струм стоку в імпульсі: -60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; 10ВDC; D; 2917; SMD
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; 10ВDC; D; 2917; SMD

48,78 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 01005

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7нФ
Ключ-комплект; 6-гранна,насадковий; 1/2"; 11шт.
Ключ-комплект; 6-гранна,насадковий; 1/2"; 11шт.

1853,78 грн

Вид ключа:
6-гранна; насадковий
Кількість в наборі/упаковці:
11шт.
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Склад комплекту:
6-гранні насадки 1/2"; тріскачка 1/2"
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; CRGP

3,59 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Манометр; 0÷250бар; Клас: 1,6; 100мм; Темп: -20÷60°C; 111.12
Манометр; 0÷250бар; Клас: 1,6; 100мм; Темп: -20÷60°C; 111.12

0,00 грн

Вимір:
тиску
Властивості вимірювальних приладів:
нижнє положення датчика
Діаметр:
100мм
Діапазон вимірювання тиску:
0...250бар
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 100ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 100ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0805

7,92 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
10нФ
Корпус - дюйм:
0805
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 6,3ВDC; THT; ±10%; -55÷125°C; TAP
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 6,3ВDC; THT; ±10%; -55÷125°C; TAP

60,19 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
2,5мм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт

13,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8

48,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3

2,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN1006-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±10В
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-100В