1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -0,45А; 0,19Вт

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -0,45А; 0,19Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI1013CX-T1-GE3
19,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI1013CX-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,5нКл
Корпус: SC89; SOT563
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,19Вт
Струм стока: -0,45А
Струм стоку в імпульсі: -1,5А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Провід: управління; ÖLFLEX® PETRO FD 865 CP; 2x1мм2; чорний; Cu
Провід: управління; ÖLFLEX® PETRO FD 865 CP; 2x1мм2; чорний; Cu

437,79 грн

Bластивості проводів:
сертифікат DNV
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Недоступний
Резистор: thick film; 1,24Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,24Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thin film; 150Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 150Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

1,96 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
150Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 18,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 18,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 4ВDC; X6S; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 4ВDC; X6S; ±20%; SMD; 0603

1,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

0,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,8пФ
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD