Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -2,9А; Idm: -15А

Немає в наявності
Код товару: SI8817DB-T2-E1
11,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI8817DB-T2-E1
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: MICROFOOT®
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,32Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: -2,9А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Пінцет: прямий; 145мм; Форма кінц.леза: заокруглений
Пінцет: прямий; 145мм; Форма кінц.леза: заокруглений

903,45 грн

Використання інструментів:
універсальний
Довжина пінцета:
145мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Тип пінцета:
прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B

2,61 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,25 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Without nut; NPT3/8"; IP68; brass; Entrelec; Cable gland: cable
Without nut; NPT3/8"; IP68; brass; Entrelec; Cable gland: cable

153,32 грн

Type of cable gland:
cable
Версія введення:
без гайки
Вид різьблення:
NPT; дюймове
Довжина гвинта:
11,5мм
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; LQFP100; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; LQFP100; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C

389,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
86
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V

117,84 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD