Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -25А; Idm: -40А

Немає в наявності
Код товару: SISH407DN-T1-GE3
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISH407DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 93,8нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 19,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 21Вт
Струм стока: -25А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Діод: TVS; 150Вт; 11,1В; 8,9А; односпрямована; Ø2,16x6,35мм
Діод: TVS; 150Вт; 11,1В; 8,9А; односпрямована; Ø2,16x6,35мм

699,44 грн

Зворотна напруга макс.:
10В
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
11,1В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі:
0,15кВт
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 0,5м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 0,5м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А

2618,48 грн

Довжина кабелю:
0,5м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD; PIC16

48,78 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
12
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 100V

389,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 110пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 110пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 10ВDC; Ø5x5,7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 10ВDC; Ø5x5,7мм; ±20%

7,54 грн

Висота:
5,7мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 70мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 70мкА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4,5мВ
Діапазон напруги живлення:
1,8...6В DC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD