Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -35А; Idm: -60А

Немає в наявності
Код товару: SI7613DN-T1-GE3
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7613DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 87нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52,1Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 825Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 825Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Корпус конектора; прямий; для конекторів 6,3 мм; ПВХ
Корпус конектора; прямий; для конекторів 6,3 мм; ПВХ

6,78 грн

Застосування роз’ємів:
для конекторів 6,3 мм
Матеріал:
ПВХ
Просторова орієнтація:
прямий
Тип аксесуарів для роз’ємів:
корпус конектора
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; THT; straight

16,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

10,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 3мм; Довж.заг: 153мм
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 3мм; Довж.заг: 153мм

504,94 грн

Вид ключа:
кулевидна
Загальна довжина:
153мм
Різновид рукоятки:
T
Розмір ключа:
HEX 3мм
Недоступний
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; PG-DSO-8; -2,5÷2,5А
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; PG-DSO-8; -2,5÷2,5А

57,02 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-2,5...2,5А
Властивості інтегральних мікросхем:
integrated bootstrap functionality
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD

11,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -1,2А; 150мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -1,2А; 150мВт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD