Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А

Немає в наявності
Код товару: SISH615ADN-T1-GE3
56,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISH615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 183нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 9,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 216МГц; WLCSP180; 1,7÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 216МГц; WLCSP180; 1,7÷3,6ВDC

752,66 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DSP; FPU; hardware encryption; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; TRNG; watchdog
Інтерфейс:
CAN x3; FMC; I2C x4; MIPI-DSI; QUAD SPI; SAI x 2; SDMMC; SPDIF; SPI x6; UART x4; USART x4; USB OTG
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 110пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 110пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 10ВDC; Ø5x5,7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 10ВDC; Ø5x5,7мм; ±20%

7,54 грн

Висота:
5,7мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 70мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 70мкА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4,5мВ
Діапазон напруги живлення:
1,8...6В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; SMT; 3A; 100V

542,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23,TO236AB
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23,TO236AB

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
60В
Недоступний
Діод: TVS; 30В; двоспрямована; DO201AE; 1,5кВт; 1.5KE; Ammo Pack
Діод: TVS; 30В; двоспрямована; DO201AE; 1,5кВт; 1.5KE; Ammo Pack

9,76 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Корпус:
DO201AE
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8