Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

Немає в наявності
Код товару: SI3443DDV-T1-BE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI3443DDV-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,7Вт
Струм стока: -4А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 200Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Індикатор: LED; плоска; червоний; 2ВDC; Ø12мм; IP40; 2pin; метал
Індикатор: LED; плоска; червоний; 2ВDC; Ø12мм; IP40; 2pin; метал

161,56 грн

Виводи:
2pin
Вид індикатора:
плоска
Діаметр діода ДУВ:
8мм
Клас герметичності:
IP40
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7S; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7S; ±10%; SMD; 0603

3,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

0,89 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Connector: IDC; plug; male; data; vertical,straight; 1A; THT; 2.54mm
Connector: IDC; plug; male; data; vertical,straight; 1A; THT; 2.54mm

409,91 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість рядів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD