Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -25А

Немає в наявності
Код товару: SI1441EDH-T1-GE3
11,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI1441EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 33нКл
Корпус: SC70-6; SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,8Вт
Струм стока: -4А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Ключ: тріскачка; для робіт на висоті; 200мм; 3/8"
Ключ: тріскачка; для робіт на висоті; 200мм; 3/8"

1930,44 грн

Відповідність стандарту:
DIN 3122; ISO 3315
Довжина:
0,2м
Модель:
для робіт на висоті
Розмір гнізда тримача - дюйм:
3/8"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 0805

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 1.5A

32,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Модуль: діодно-тиристорний; 800В; 320А; Y2-DCB; Ufmax: 1,09В
Модуль: діодно-тиристорний; 800В; 320А; Y2-DCB; Ufmax: 1,09В

6595,29 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
PG13,5; IP68; поліамід; світло-сірий; SKINTOP®; SKINTOP® STR
PG13,5; IP68; поліамід; світло-сірий; SKINTOP®; SKINTOP® STR

117,21 грн

Вид різьблення:
PG
Відповідність стандарту:
UL 514B
Довжина гвинта:
9мм
Зовнішній діаметр проводу:
4...9мм
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 2м; вилка; 30ВDC; 4А; 0800; PUR; IP67
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 2м; вилка; 30ВDC; 4А; 0800; PUR; IP67

950,33 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Індикація:
LED
Кількість пін:
3
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 345 C 600V; 24x1,5мм2; зшитий полімер
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 345 C 600V; 24x1,5мм2; зшитий полімер

1422,33 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD