1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6А; Idm: -20А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6А; Idm: -20А
Немає в наявності
Код товару: SI5457DC-T1-GE3
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI5457DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: PowerPAK® ChipFET
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 56мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,7Вт
Струм стока: -6А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; R75; 1,2мкФ; 630ВDC; 250ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; R75; 1,2мкФ; 630ВDC; 250ВAC; THT

92,50 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±5%
Ємність:
1,2мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V

47,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
8,9мм
Роз’єм: провід-провід; штекерний; затискання; зелений
Роз’єм: провід-провід; штекерний; затискання; зелений

79,83 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Колір:
зелений
Матеріал корпусу:
поліамід
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 600В; If: 60А; M50; 60А
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 600В; If: 60А; M50; 60А

2275,09 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
M50
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 240пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 240пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

0,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 10ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 10ВDC; ±20%

31,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
8мм
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; DFN8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; DFN8; послідовний

93,77 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; TO263

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F

7,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23F
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; 1,56Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; 1,56Вт; SOT23

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; Idm: -19А; 1,1Вт; MSOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; Idm: -19А; 1,1Вт; MSOP8

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,9нКл
Корпус:
MSOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -80А; 2,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -80А; 2,3Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
PowerDI3333-8