Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6А; Idm: -25А

Немає в наявності
Код товару: SI5471DC-T1-GE3
20,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI5471DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 96нКл
Корпус: PowerPAK® ChipFET
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 62мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6,3Вт
Струм стока: -6А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; 225x225x118,5мм; 830м3/г
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; 225x225x118,5мм; 830м3/г

5882,55 грн

Вид вентилятора:
центробіжній
Вид підшипника:
кульковий
Довжина проводу:
0,5м
Клас герметичності:
IP55
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 180мкФ; 200ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 180мкФ; 200ВDC; ±20%

134,95 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
40мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
12,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

1,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
220пФ
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 150В; 3А; SMB; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 100А
Діод: випрямний; SMD; 150В; 3А; SMB; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 100А

37,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 1,02кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 1,02кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

1,75 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1206

23,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Резистор: thick film; 33кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 33кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

9,50 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
33кОм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD