1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -8А; Idm: -20А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -8А; Idm: -20А
Немає в наявності
Код товару: SI5459DU-T1-GE3
12,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI5459DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: PowerPAK® ChipFET
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 82мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 10,9Вт
Струм стока: -8А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
З'єднувальний кабель; 10м; Стандарт: Omron; power; 1S
З'єднувальний кабель; 10м; Стандарт: Omron; power; 1S

23248,25 грн

Вид кабелю:
POWER
Довжина проводу:
10м
Застосування - серія/виробник:
1S
Стандарт:
Omron
Трансформатор: мережевий; 63ВА; 230ВAC,400ВAC,460ВAC; 12В; 24В
Трансформатор: мережевий; 63ВА; 230ВAC,400ВAC,460ВAC; 12В; 24В

2298,53 грн

Вторинна напруга 1:
12В
Вторинна напруга 2:
24В
Зовнішні розміри:
84x113x112мм
Клас герметичності:
IP20
Конденсатор: керамічний; 560нФ; 16В; X7R; ±10%; 0805
Конденсатор: керамічний; 560нФ; 16В; X7R; ±10%; 0805

6,84 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,56мкФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL

3376,84 грн

Довжина проводу:
5,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 16x2x0,14мм2; неекранований
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 16x2x0,14мм2; неекранований

193,87 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
27нКл
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 2,2мкФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 2,2мкФ; 50ВDC; ±20%

7,29 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
5,7мм
Діаметр:
4мм
Допуск:
±20%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8