Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -15,7А; 3,6Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI4425DDY-T1-GE3
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4425DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 9,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,6Вт
Струм стока: -15,7А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Комбінезон; Розмір: XL; чорний; STRETCH; JOGGER; 415г/м2
Комбінезон; Розмір: XL; чорний; STRETCH; JOGGER; 415г/м2

1742,27 грн

Вага:
415г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
чорний
Матеріал:
бавовна; еластан; поліестер
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 37; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 37; THT; straight

129,88 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Недоступний
Вентилятор: DC; 92x92x25мм; осьовий; 12ВDC; 87,5м3/г; 34дБА; IP56
Вентилятор: DC; 92x92x25мм; осьовий; 12ВDC; 87,5м3/г; 34дБА; IP56

428,92 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Резистор: thick film; 845Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 845Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23