Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -16А; Idm: -50А
Brand: VISHAY
SKU: SI7121DN-T1-GE3
Price: 40.55 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -16А; Idm: -50А

Немає в наявності

Код товару: SI7121DN-T1-GE3

40,55 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI7121DN-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

65нКл

Корпус:

PowerPAK® 1212-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±25В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

30,5мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

52Вт

Струм стока:

-16А

Струм стоку в імпульсі:

-50А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET

Недоступний

Бажані

IC: мікроконтролер STM32 ARM; 280МГц; UFBGA169; 1,62÷3,6ВDC

618,35 грн

Вид архітектури:
Cortex M7

Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач

Інтерфейс:
CAN FD; GPIO; HDMI CEC; I2C; I2S; LPUART; MDIO; PDM; SAI; SDMMC; SPDIF; SPI; UART; USART; USB

Кількість входів/виходів:
121

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
1206

Корпус - мм:
3216

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
44нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT89-3

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
180нКл

Корпус:
TO263

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
19,7нКл

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD