1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -17,3А; Idm: -80А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -17,3А; Idm: -80А
Немає в наявності
Код товару: SI7625DN-T1-GE3
75,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI7625DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 126нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: -17,3А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 38А; 280Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 38А; 280Вт; ISOPLUS247™

1140,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
super junction coolmos
Заряд затвора:
250нКл
Недоступний
Резистор: metal film; 46,4Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 46,4Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; гніздовий; промислова; E; 60В; прямий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; гніздовий; промислова; E; 60В; прямий; IP67

693,11 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Зовнішній діаметр проводу:
4...5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
4,7нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 16В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 16В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 4А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 4А; Полюси: 1

181,20 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 1,87кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 1,87кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD