Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А

Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А
Brand: VISHAY
SKU: SI7153DN-T1-GE3
Price: 50.68 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: SI7153DN-T1-GE3

50,68 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SI7153DN-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

62нКл

Корпус:

PowerPAK® 1212-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±25В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

15мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

52Вт

Струм стока:

-18А

Струм стоку в імпульсі:

-100А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-40В

Опір в стані провідності:
4,7мОм

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TUMT6

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD