Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SQ2303ES-T1_GE3
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQ2303ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 370мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,9Вт
Струм стока: -2,5А
Струм стоку в імпульсі: -10А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJUP8F
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJUP8F

2,46 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 17,6В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ
Діод: TVS; 5кВт; 17,6В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ

40,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
15В
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 11; 12бит; 66кsps; 3÷3,6В; SSOP20
IC: перетворювач А/D; Ch: 11; 12бит; 66кsps; 3÷3,6В; SSOP20

0,00 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
single-ended
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603

5,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; THT
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; THT

1,42 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Монтаж:
THT
Погрішність ємкості:
±0,25пФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V

83,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Довжина контакту:
4мм
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD