1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -20,5А; 5,6Вт

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -20,5А; 5,6Вт
Немає в наявності
Код товару: SI4151DY-T1-GE3
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4151DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 87нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 13мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,6Вт
Струм стока: -20,5А
Струм стоку в імпульсі: -150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 28AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 28AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В

1285,48 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/1 (Type E)
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 63ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 63ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%

60,19 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0402; 200мВт; ±1%; ERJPA2F
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0402; 200мВт; ±1%; ERJPA2F

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,9пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 237Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 237Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 2220

55,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

10,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; Idm: -30А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; Idm: -30А; 1,6Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
134нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -55А; Idm: -220А; 65,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -55А; Idm: -220А; 65,7Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO263