Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -24А; Idm: -50А

Немає в наявності
Код товару: SI7619DN-T1-GE3
62,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI7619DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 34мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27,8Вт
Струм стока: -24А
Струм стоку в імпульсі: -50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Роз’єм: MMCX; вилка; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; PTFE
Роз’єм: MMCX; вилка; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; PTFE

1002,28 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид кабелю:
1.13 mm Micro-cable
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; паяння
Резистор: thin film; 390кОм; 0603; 100мВт,210мВт; ±0,1%; -55÷175°C
Резистор: thin film; 390кОм; 0603; 100мВт,210мВт; ±0,1%; -55÷175°C

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 1000мкФ; 25ВDC; Ø12,5x15мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 1000мкФ; 25ВDC; Ø12,5x15мм

15,33 грн

Висота:
15мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 35нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 2,2В
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 35нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 2,2В

8,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Нагрівальний елемент: обігрівач; обігрівна; S4; 125Вт; 24ВAC; IP54
Нагрівальний елемент: обігрівач; обігрівна; S4; 125Вт; 24ВAC; IP54

3835,53 грн

Виводи:
кабель 3x0,75мм2
Зовнішні розміри:
153x75x45мм
Клас герметичності:
IP54
Матеріал:
кераміка
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%

65,89 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD