1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -29А; 5Вт; SO8

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -29А; 5Вт; SO8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI4497DY-T1-GE3
152,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4497DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 3,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: -29А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD