Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -3,4А; Idm: -6А

Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -3,4А; Idm: -6А
Brand: VISHAY
SKU: SI3453DV-T1-GE3
Price: 6.34 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI3453DV-T1-GE3

6,34 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI3453DV-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

6,8нКл

Корпус:

SC74; TSOP6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

276мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3Вт

Струм стока:

-3,4А

Струм стоку в імпульсі:

-6А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діелектрик:
X7R

Допуск:
±10%

Ємність:
2,2нФ

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOP8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт

13,81 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8

48,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOP8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Напруга сток-джерело:
-20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3

2,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DFN1006-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±10В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Напруга сток-джерело:
-100В