1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А
Немає в наявності
Код товару: SISH617DN-T1-GE3
59,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISH617DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 59нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 22,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Розширення різьблення до дроселів; M32; M25; поліпропілен
Розширення різьблення до дроселів; M32; M25; поліпропілен

435,25 грн

Внутрішня різьба:
M32
Зовнішня різьба:
M25
Колір корпусу:
чорний
Матеріал корпусу:
поліпропілен
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; SMT; 1.5A

455,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
3мм
Недоступний
Роз’єм: живлення DC; Тривалість мех: 50цикли
Роз’єм: живлення DC; Тривалість мех: 50цикли

1446,40 грн

Застосування роз’ємів:
для систем зберігання енергії
Тип роз’єму:
живлення DC
Тривалість механічна:
50 цикли
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; THT; 1.5A

570,83 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Фільтр: проти перешкод; 3,12Ом; 100мкГн; SMD; 50ВDC; 100мА; -25÷50%
Фільтр: проти перешкод; 3,12Ом; 100мкГн; SMD; 50ВDC; 100мА; -25÷50%

98,83 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
-25...50%
Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 2,2÷3,6ВDC; SMD; BGA121; PIC24
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 2,2÷3,6ВDC; SMD; BGA121; PIC24

439,69 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
EPMP
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Connector: IDC; male; data; PIN: 40; SEK Standard; straight; 2.54mm
Connector: IDC; male; data; PIN: 40; SEK Standard; straight; 2.54mm

548,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
15мм
Електричний монтаж:
обмотувальне з’єднання
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD