Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -60А; Idm: -120А

Немає в наявності
Код товару: SIR167DP-T1-GE3
32,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR167DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 111нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 9,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65,8Вт
Струм стока: -60А
Струм стоку в імпульсі: -120А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,99 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1812
Корпус - мм:
4532
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 2мкс; SOD123F; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 2мкс; SOD123F; Ufmax: 1,1В

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

10,14 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Корпус - дюйм:
1206
Резистор: thin film; 1,2кОм; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1,2кОм; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C

15,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
1,2кОм
Потужність:
0,4Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А; ПВХ

1755,58 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 800А; Iвих: 5А; 0,2S@max5ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 800А; Iвих: 5А; 0,2S@max5ВА; 50÷60Гц

4663,59 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
800А
Діаметр внутрішній:
73мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,5%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK