Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -65,7А; 56,8Вт

Немає в наявності
Код товару: SIR1309DP-T1-GE3
24,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR1309DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 87нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 13мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56,8Вт
Струм стока: -65,7А
Струм стоку в імпульсі: -150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 45,3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3APB
Резистор: thin film; 45,3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3APB

11,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Connector: wire-board; plug; male; data; PIN: 4; MiniBridge; SMT; 8A
Connector: wire-board; plug; male; data; PIN: 4; MiniBridge; SMT; 8A

59,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD

2,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,47нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Connector: PCB to PCB; female; data; 3A; PIN: 12; 2.54mm; straight
Connector: PCB to PCB; female; data; 3A; PIN: 12; 2.54mm; straight

233,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
12
Недоступний
Генератор; 16МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC; -40÷125°C
Генератор; 16МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC; -40÷125°C

74,76 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; SMT; 3A; 250V

409,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK