Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -8А; Idm: -30А

Немає в наявності
Код товару: SI3483DDV-T1-GE3
13,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI3483DDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14,5нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 51,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: -8А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 360кОм; 1218; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 360кОм; 1218; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

13,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1218
Корпус - мм:
3246
Адаптер; OTG,USB 3.0; USB A гніздо,USB C вилка; позолочений
Адаптер; OTG,USB 3.0; USB A гніздо,USB C вилка; позолочений

231,25 грн

Колір роз'єму:
срібний
Конструкція кабелю/переходу:
USB A гніздо; USB C вилка
Матеріал корпусу:
метал
Модель:
OTG; USB 3.0
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 1.5A

618,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 90,9кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 90,9кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Ключ: шестигранний; HEX 0,7мм; Довж.заг: 30мм
Ключ: шестигранний; HEX 0,7мм; Довж.заг: 30мм

53,85 грн

Загальна довжина:
30мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір ключа:
HEX 0,7мм
Тип ключа:
шестигранний
Недоступний
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Роз’єм: 7/8"; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; IP67; 13А; TPE
Роз’єм: 7/8"; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; IP67; 13А; TPE

5446,03 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Ізоляційний матеріал проводу:
TPE
Кількість пін:
3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD