1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -11А; Idm: -60А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -11А; Idm: -60А
Немає в наявності
Код товару: SI7463DP-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7463DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,14мкКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 9,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: -11А
Струм стоку в імпульсі: -60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 470мкФ; 400ВDC; Ø35x40мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 470мкФ; 400ВDC; Ø35x40мм

258,49 грн

Висота:
40мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 80кБSRAM,128кБFLASH; HTQFP64; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 80кБSRAM,128кБFLASH; HTQFP64; 1,8÷3,6ВDC

232,51 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DSP; FPU; MPU; PoR; TRNG; watchdog
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; I2S; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
45
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD

2,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Резистор: дротяний; 10Ом; 80Вт; ±5%; Ø28x121мм; 200ppm/°C; кільцеві
Резистор: дротяний; 10Ом; 80Вт; ±5%; Ø28x121мм; 200ppm/°C; кільцеві

375,06 грн

Виводи:
кільцеві
Діаметр:
28мм
Довжина:
121мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C

0,87 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; М12 "папа",М12 "мама"; прямий; 1м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; М12 "папа",М12 "мама"; прямий; 1м

614,55 грн

Engineering PN:
M12 Cable Assembly A-cod st/st m/f 1,0m
Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
3
Недоступний
Пуск.компл: обчислювальне; 2,2МГц; 600мВ÷1,28В; 6А; базова плата
Пуск.компл: обчислювальне; 2,2МГц; 600мВ÷1,28В; 6А; базова плата

2510,77 грн

Вихідна напруга:
600мВ...1,28В
Вихідний струм:
6А
Склад комплекту:
базова плата
Тип пускового комплекту:
обчислювальне
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO263

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
186нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263